| 摘要 |
結晶シリコンインゴットが、一方向性凝固プロセスを用いて作製される。特に、坩堝を、均一な結晶配向であるシード層上のシリコン供給原料で充填する。シリコン供給原料およびシード層の上側部分は、坩堝中にて溶融され、溶融物質を形成する。この溶融物質は、次に凝固され、そのプロセスの過程にて、シード層の結晶構造に基づく結晶構造がシリコンインゴット中に形成される。シード層は、｛１１０｝結晶面が凝固の方向に対して直角となるように配置される。このことにより、別の選択肢としての結晶配向と比較して、インゴット中に形成される単結晶シリコンの割合が大きく改善され、等方性テクスチャリング後に、高度に均一なソーラーセルが得られることが見出された。 |
