发明名称 | 利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法 | ||
摘要 | 一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,包括以下步骤:1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属;2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶,采用常规光刻工艺进行光刻,制作图形;3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀金属,在易腐蚀金属上形成沟槽,通过调整工艺参数来增大刻蚀沟槽的横向钻蚀;4)通过蒸发或溅射工艺,在残余光刻胶表面和沟槽中暴露的衬底上生长待剥离的金属,形成样片;5)将样片放入易腐蚀金属的腐蚀液中,将易腐蚀金属腐蚀掉,得到了衬底上的金属图形;6)用去离子水清洗,完成制备。本发明具有工艺简单、可重复性好、对光刻工艺要求低的优势,易于形成断口,易于剥离的优点。 | ||
申请公布号 | CN104377117A | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
申请号 | CN201410500353.8 | 申请日期 | 2014.09.26 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 杨健;司朝伟;韩国威;宁瑾;赵永梅;梁秀琴 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
主权项 | 一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,包括以下步骤:1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属;2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶,采用常规光刻工艺进行光刻,制作图形;3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀金属,在易腐蚀金属上形成沟槽,通过调整工艺参数来增大刻蚀沟槽的横向钻蚀;4)通过蒸发或溅射工艺,在残余光刻胶表面和沟槽中暴露的衬底上生长待剥离的金属,形成样片;5)将样片放入易腐蚀金属的腐蚀液中,将易腐蚀金属腐蚀掉,得到了衬底上的金属图形;6)用去离子水清洗,完成制备。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |