发明名称 利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法
摘要 一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,包括以下步骤:1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属;2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶,采用常规光刻工艺进行光刻,制作图形;3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀金属,在易腐蚀金属上形成沟槽,通过调整工艺参数来增大刻蚀沟槽的横向钻蚀;4)通过蒸发或溅射工艺,在残余光刻胶表面和沟槽中暴露的衬底上生长待剥离的金属,形成样片;5)将样片放入易腐蚀金属的腐蚀液中,将易腐蚀金属腐蚀掉,得到了衬底上的金属图形;6)用去离子水清洗,完成制备。本发明具有工艺简单、可重复性好、对光刻工艺要求低的优势,易于形成断口,易于剥离的优点。
申请公布号 CN104377117A 申请公布日期 2015.02.25
申请号 CN201410500353.8 申请日期 2014.09.26
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 杨健;司朝伟;韩国威;宁瑾;赵永梅;梁秀琴
分类号 H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,包括以下步骤:1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属;2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶,采用常规光刻工艺进行光刻,制作图形;3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀金属,在易腐蚀金属上形成沟槽,通过调整工艺参数来增大刻蚀沟槽的横向钻蚀;4)通过蒸发或溅射工艺,在残余光刻胶表面和沟槽中暴露的衬底上生长待剥离的金属,形成样片;5)将样片放入易腐蚀金属的腐蚀液中,将易腐蚀金属腐蚀掉,得到了衬底上的金属图形;6)用去离子水清洗,完成制备。
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号