发明名称 提高湿法刻蚀性能的方法
摘要 本发明提供一种提高湿法刻蚀性能的方法,包括以下步骤:对衬底进行HMDS疏水处理;在所述衬底上涂布抗反射涂层;在所述抗反射涂层上涂布一层光刻胶;进行曝光、显影和刻蚀处理,去除部分所述光刻胶和抗反射涂层,使得待刻蚀衬底暴露在外;采用有机溶液去除剩余的光刻胶;以剩余的部分抗反射涂层为掩蔽,对衬底进行湿法刻蚀处理。本发明去除了衬底表面的光刻胶,降低了图形的高宽比,只依靠抗反射涂层作为湿法刻蚀掩蔽层,提高了湿法刻蚀的性能。
申请公布号 CN101625968B 申请公布日期 2015.02.25
申请号 CN200910055897.7 申请日期 2009.08.04
申请人 上海集成电路研发中心有限公司 发明人 朱骏
分类号 H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种提高湿法刻蚀性能的方法,其特征在于包括以下步骤:对衬底进行HMDS疏水处理,增强光刻胶通过抗反射涂层与衬底的粘附力,从而抑制刻蚀液的侧向刻蚀;在所述衬底上涂布所述抗反射涂层,所述抗反射涂层用于改进光刻法的图案形成过程中形成的光刻胶图案的均匀性以及增强光刻胶底部和衬底的粘附力;在所述抗反射涂层上涂布一层光刻胶;进行曝光、显影和刻蚀处理,去除部分所述光刻胶和抗反射涂层,使得待刻蚀衬底暴露在外;采用有机溶液去除剩余的光刻胶;以剩余的部分抗反射涂层为掩蔽,对衬底进行湿法刻蚀处理。
地址 201203 上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区