| 发明名称 | 薄膜晶体管基板 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种薄膜晶体管基板，包括：一基板；以及多个薄膜晶体管单元，设置于该基板上且分别包括：一有源层，设置于该基板上且该有源层的材料为多晶硅；一绝缘层，设置于该有源层上；以及一源极及一漏极，设置于该绝缘层上；其中该绝缘层包括一第一区域及一第二区域，其中该第一区域对应该有源层，该第二区域对应该有源层以外的区域，且该第一区域的粗糙度大于该第二区域的粗糙度。 | ||
| 申请公布号 | CN204179081U | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201420516720.9 | 申请日期 | 2014.09.10 |
| 申请人 | 群创光电股份有限公司 | 发明人 | 赵光品;朱夏青;孙铭谦 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管基板，包括：一基板；以及多个薄膜晶体管单元，设置于该基板上且分别包括：一有源层，设置于该基板上且该有源层的材料为多晶硅；一绝缘层，设置于该有源层上；以及一源极及一漏极，设置于该绝缘层上；其中该绝缘层包括一第一区域及一第二区域，其中该第一区域对应该有源层，该第二区域对应该有源层以外的区域，且该第一区域的粗糙度大于该第二区域的粗糙度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区苗栗县 | ||