半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置。减小了半导体装置的尺寸。将其中形成有功率MOSFET的半导体芯片放置在其中形成有另一功率MOSFET的半导体芯片之上，并用包封树脂部分将其密封。半导体芯片被布置为使得上半导体芯片不与位于下半导体芯片的栅极焊盘电极正上方的区域重叠。半导体芯片在尺寸上是相同的，并且下半导体芯片和上半导体芯片各自的源极焊盘电极和栅极焊盘电极在形状和布置上是相同的。下半导体芯片和上半导体芯片被布置为使得其各自的中心彼此偏移。

主权项

一种半导体装置，包括：漏极端子，具有顶表面和与顶表面相反的底表面；第一半导体芯片，布置在漏极端子的顶表面之上；源极‑漏极端子和第一栅极端子，布置在第一半导体芯片之上；第二半导体芯片，放置在源极‑漏极端子之上；源极端子和第二栅极端子，布置在第二半导体芯片之上；以及包封树脂部分，具有顶表面、与顶表面相反的底表面以及在第一方向上延伸的一对侧表面，所述包封树脂部分密封第一半导体芯片和第二半导体芯片以及漏极端子的一部分、源极‑漏极端子的一部分、第一栅极端子的一部分、源极端子的一部分和第二栅极端子的一部分，其中，第一半导体芯片包括：第一背表面，面对于漏极端子并具有在其中形成的第一背表面漏极电极；以及第一主表面，位于与第一背表面相反的一侧上并具有在其中形成的第一源极电极和第一栅极电极，其中，第二半导体芯片包括：第二背表面，面对于源极‑漏极端子并具有在其中形成的第二背表面漏极电极；以及第二主表面，位于与第二背表面相反的一侧上并具有在其中形成的第二源极电极和第二栅极电极，其中，第一半导体芯片的第一背表面漏极电极通过导电结合材料与漏极端子电耦接，其中，第一半导体芯片的第一栅极电极通过导电结合材料与第一栅极端子电耦接，其中，第一半导体芯片的第一源极电极通过导电结合材料与源极‑漏极端子电耦接，其中，第二半导体芯片的第二背表面漏极电极通过导电结合材料与源极‑漏极端子电耦接，其中，第二半导体芯片的第二栅极电极通过导电结合材料与第二栅极端子电耦接，其中，第二半导体芯片的第二源极电极通过导电结合材料与源极端子电耦接，其中，第二半导体芯片在第一方向上偏移并且布置在第一半导体芯片之上，使得在平面图中第二半导体芯片不与第一半导体芯片的第一栅极电极重叠，其中，源极‑漏极端子的一部分在与第一方向垂直的第二方向上从包封树脂部分的该对侧表面突出，以及其中，源极端子的一部分在第二方向上从包封树脂部分的该对侧表面突出。