发明名称 |
ECR-PEMOCVD系统低温沉积ZnO透明导电薄膜的制备方法 |
摘要 |
ECR-PEMOCVD系统低温沉积ZnO透明导电薄膜的制备方法,属于新材料沉积制备领域。本发明按照以下步骤进行:(1)把普通康宁玻璃片清洗基片送入镀膜室;(2)采用ECR-PEMOCVD系统,将反应室抽真空至1.0×10<sup>-3</sup>Pa,将基片加热至20~600℃,向反应室内通入氧气、氩气携带的二乙基锌以及氩气携带的三甲基镓或三甲基铝,其中氧气、二乙基锌、三甲基镓的量由质量流量计控制流量比为(90~150):(4~8):(1~2),氧气、二乙基锌、三甲基铝的量由质量流量计控制流量比为(90~150):(4~8):1;控制气体总压强为0.8~2.0Pa;在电子回旋共振频率为650W,反应1~30min,得到Ga或Al掺杂ZnO光电透明导电薄膜。本发明的镓掺杂ZnO或者铝掺杂ZnO的透明光电导电薄膜产品具有性能优异、易于实现大面积生产的产业化的优势。 |
申请公布号 |
CN103014676B |
申请公布日期 |
2015.02.25 |
申请号 |
CN201210578485.3 |
申请日期 |
2012.12.27 |
申请人 |
沈阳工程学院 |
发明人 |
鞠振河;张东;郑洪;曲博;赵琰 |
分类号 |
C23C16/50(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/50(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 |
代理人 |
李运萍 |
主权项 |
一种ECR‑PEMOCVD系统低温沉积ZnO透明导电薄膜的制备方法,其特征在于按照以下步骤进行:(1)把普通康宁玻璃片用丙酮、乙醇和去离子水清洗干净后,用氮气吹干作为基片送入镀膜室;(2)采用ECR‑PEMOCVD系统,将反应室抽真空至1.0×10<sup>‑3 </sup>Pa,将基片加热至20~600℃,向反应室内通入氧气、氩气携带的二乙基锌以及氩气携带的三甲基镓或三甲基铝,其中氧气、二乙基锌、三甲基镓的量由质量流量计控制流量比为(90~150):(4~8):(1~2), 氧气、二乙基锌、三甲基铝的量由质量流量计控制流量比为(90~150):(4~8):1;控制气体总压强为0.8~2.0Pa;在电子回旋共振频率为650W,反应1~30min, 得到Ga或Al掺杂ZnO光电透明导电薄膜。 |
地址 |
110136 辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号 |