发明名称 一种雷达与红外兼容隐身材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种雷达与红外兼容隐身材料,其从上到下依次包括金属型容性频率选择表面层、中间介质层、电阻型容性频率选择表面层和介质基底层;金属型、电阻型容性频率选择表面层均为矩阵式结构,金属型容性频率选择表面层选用的金属为具有低红外发射率的金属;中间介质层和介质基底层的介电常数为3~10,介电损耗为0.01~0.50;该隐身材料的制备主要包括:先采用丝网印刷等工艺制备金属膜层,然后采用PCB工艺等在金属膜层上刻蚀出金属型容性频率选择表面层,再通过丝网印刷工艺在介质基底层上制备电阻型容性频率选择表面层,最后采用真空袋压的方法通过粘结剂粘合成整体。本发明的材料结构简单、轻质、薄且兼容隐身效果较好。
申请公布号 CN103158299B 申请公布日期 2015.02.25
申请号 CN201310078127.0 申请日期 2013.03.12
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 程海峰;田浩;刘海韬;周永江
分类号 B32B15/08(2006.01)I;B32B37/02(2006.01)I;B32B37/12(2006.01)I;B32B38/14(2006.01)I;B32B38/18(2006.01)I 主分类号 B32B15/08(2006.01)I
代理机构 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人 赵洪;杨斌
主权项 一种雷达与红外兼容隐身材料,其特征在于,所述隐身材料从上到下依次包括金属型容性频率选择表面层、中间介质层、电阻型容性频率选择表面层和介质基底层;所述金属型容性频率选择表面层和电阻型容性频率选择表面层均为矩阵式结构,所述金属型容性频率选择表面层选用的金属为具有低红外发射率的金属;所述中间介质层和介质基底层的介电常数为3~10,介电损耗为0.01~0.50;所述金属型容性频率选择表面层的厚度t3为0.01mm~0.02mm,所述中间介质层的厚度t2为0.1mm~0.2mm,所述电阻型容性频率选择表面层的厚度t1为0.015mm~0.02mm,所述介质基底层的厚度t为1.5mm~2.8mm;具有矩阵式结构的所述电阻型容性频率选择表面层的周期单元尺寸a为12.4mm~17.73mm,其周期单元尺寸a的比例系数x为0.58~0.74;设具有矩阵式结构的所述金属型容性频率选择表面层的周期单元尺寸为b,且设n=a/b,则n=6~12;所述金属型容性频率选择表面层的周期单元尺寸b的比例系数y为0.6~0.9;所述低红外发射率的金属为金、银、铜或铂。
地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号中国人民解放军国防科学技术大学一院重点实验室