| 发明名称 | 半导体器件和用于制造类玻璃层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于在基板诸如功率半导体基板(1)上制造类玻璃层(3)的方法，所述方法包括通过等离子辅助电子束蒸镀的方法沉积类玻璃层气相沉积的材料。使用本方法可以制造电子元件。 | ||
| 申请公布号 | CN104380432A | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201380017950.9 | 申请日期 | 2013.04.02 |
| 申请人 | MSG里松格莱斯股份公司 | 发明人 | 西蒙·毛斯;乌利·汉森 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 谢栒;赵礼杰 |
| 主权项 | 一种在基板(1)上制造阻挡层(3)的方法，包括：采取热蒸镀类玻璃层气相沉积材料的方式沉积类玻璃层气相沉积材料。 | ||
| 地址 | 德国德累斯顿 | ||