提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法

摘要

一种提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性方法，在针对氧化硅层的化学机械平坦化工艺之前，采用一步氧化硅刻蚀工艺，使得相邻多晶栅之间的氧化硅层与多晶栅正上方的氧化硅层的高度落差大幅减小，因此，较小的高度落差对化学机械平坦化工艺的影响也会大大减轻，从而在研磨过程中，高度落差不会传递下去，极大地减小氧化硅层中的凹陷，得到了平坦的氧化硅表面，消除了随后存在金属残留的可能，从而提高器件电学性能和成品率。

主权项

一种提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性方法，包括：提供衬底，以及位于所述衬底上的多晶栅；沉积氮化硅层于所述衬底上，并对所述氮化硅层进行图案化，使所述氮化硅层覆盖所述多晶栅的顶部和侧壁；沉积氧化硅层于所述衬底上，所述氧化硅层至少完全填充所述多晶栅之间的间隙；采用第一化学机械平坦化工艺，对所述氧化硅层进行平坦化处理，直至暴露出覆盖所述多晶栅顶部的所述氮化硅层；采用第二化学机械平坦化工艺，对暴露出的所述氮化硅层进行平坦化处理，直至暴露出所述多晶栅的顶部；其特征在于：在所述第一化学机械平坦化工艺之前，进行如下步骤：在沉积所述氧化硅层之后，在所述衬底上涂覆光刻胶，通过光掩模进行曝光，形成一光刻胶图案，所述光刻胶图案暴露出位于所述多晶栅顶部上方的所述氧化硅层，而覆盖位于相邻所述多晶栅之间的氧化硅层；采用一刻蚀工艺，对暴露出的位于所述多晶栅顶部上方的所述氧化硅层进行刻蚀，所述刻蚀工艺的刻蚀深度不大于位于所述多晶栅顶部上方的所述氧化硅层的厚度；在所述刻蚀工艺之后，位于所述多晶栅顶部上方的所述氧化硅层的上表面与位于相邻所述多晶栅之间的所述氧化硅层的上表面之间的高度落差被减小；采用去胶工艺，去除所述衬底上的所述光刻胶图案。