| 摘要 |
<p>高周波発振器の空胴共振器と電磁界的に結合した状態でスイッチ素子(１８)を配置し、スイッチ素子(１８)の一方の電極にバイアス電圧印加端子(１４Ｔ)を接続し、スイッチ素子(１８)の他方の電極を空胴共振器（図１に示される例ではアノードシェル(２)）と電気的に接続すると共に、スイッチ素子(１８)のいずれかの端部にスイッチ素子(１８)の前後を伝播する電波を高周波的に反射させる大きさの金属板(２２)を設け、スイッチ素子(１８)にバイアス電圧を印加して、そのバイアス電圧を変化させることにより、スイッチ素子(１８)のリアクタンスを変化させて空胴共振器の共振周波数を変化させる。この方法により、バイアス電圧の僅かな変化に対して、発振周波数を大きく変化させることができる。</p> |
