发明名称 セラミックス回路基板
摘要 本発明のセラミックス回路基板は、アルミナ基板上に金属回路板が接合されたセラミックス回路基板において、前記アルミナ基板は、アルミナAl2O3を94〜98質量%、および焼結前に配合された焼結助剤から生成された焼結助剤由来成分を2〜6質量%含み、前記焼結助剤由来成分は、ケイ素を含む無機酸化物であり、前記焼結助剤由来成分中のケイ素は酸化ケイ素SiO2に換算した質量で前記アルミナ基板100質量%中に0.01〜1.5質量%含まれ、前記アルミナ基板は、ボイドの最大径が15μm以下であり、ボイド平均径が10μm以下であり、ビッカース硬度が1300以上である。
申请公布号 JPWO2013008919(A1) 申请公布日期 2015.02.23
申请号 JP20130524002 申请日期 2012.07.13
申请人 株式会社東芝;東芝マテリアル株式会社 发明人 星野 政則;佐藤 英樹;小森田 裕;中山 憲隆;那波 隆之
分类号 H05K1/03;C04B35/111;C04B37/02;H01L23/12;H01L23/13;H01L23/36;H05K3/38 主分类号 H05K1/03
代理机构 代理人
主权项
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