薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法

摘要

タングステンからなる主電極層を含む薄膜電極を備える薄膜デバイスにおいて、薄膜電極が低い抵抗率を有することを実現する。下地層（７Ａ）と、下地層（７Ａ）の上に形成された主電極層（７Ｂ）とを有する薄膜電極（７）を備え、下地層（７Ａ）は、表面モフォロジーが波状である結晶構造を有するチタン・タングステン合金からなり、主電極層（７Ｂ）は、表面モフォロジーが波状である結晶構造を有するタングステンからなる、薄膜デバイス（１）。