| 摘要 |
<p>本発明のトレンチゲートパワー半導体装置１００は、ｎ−型のドリフト層１１４と、ｐ型のボディ層１２０と、溝１２４と、ｎ＋型のソース領域１３２と、溝１２４の内周面に形成してなるゲート絶縁膜１２６と、ゲート絶縁膜１２６の内周面に形成してなるゲート電極膜１２８と、ゲート電極膜１２８と絶縁されるとともに、ソース領域１３２と接して形成してなるソース電極層１３６とを備え、ドリフト層１１４において隣接する溝１２４に挟まれた領域には、溝１２４よりも深く延在するｐ型の埋め込み領域１４０がボディ層１２０に接するように形成され、埋め込み領域１４０におけるｐ型不純物が最大濃度を示す深さ位置が、ボディ層１２０の底面Ｐ２と埋め込み領域１４０の底面Ｐ３との中間に位置する深さ位置よりも深いところにある。本発明のトレンチゲートパワー半導体装置１００によれば、高い逆耐圧を有するとともにより一層オン抵抗を低くすることが可能となる。</p> |
