| 发明名称 | 氧化物半导体薄膜电晶体结构与其制作方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI474487 | 申请公布日期 | 2015.02.21 |
| 申请号 | TW099141626 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 陈嘉祥;曾世贤;洪铭钦;涂峻豪;林威廷;张钧杰 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种氧化物半导体薄膜电晶体结构，包含：一基板；一闸极，设置于该基板上；一半导体绝缘层，设置于该闸极与该基板上；一氧化物半导体层，设置于该半导体绝缘层上；一图案化半导体层，设置于该氧化物半导体层上，其中该氧化物半导体层与该图案化半导体层之间未设置蚀刻停止层；以及一源极与一汲极，设置于该图案化半导体层上，其中该源极与该汲极系为一金属层所构成。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 | ||