发明名称 单端多埠之储存装置
摘要
申请公布号 TWI474333 申请公布日期 2015.02.21
申请号 TW096139890 申请日期 2007.10.24
申请人 国立交通大学 发明人 杨皓义;黄威
分类号 G11C7/10 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人 蔡秀玫 新北市土城区金城路2段211号4楼A1室
主权项 一种单端多埠之储存装置,其包含复数记忆单元(memory cell),该记忆单元包含:一第一反相器,具有一第一输入端与一第一输出端,并耦接一电源与一虚接地,该虚接地为一浮动电压;一第二反相器,具有一第二输入端与一第二输出端,该第二输入端耦接该第一输出端,该第二输出端耦接该第一输入端,该第二反相器耦接该电源与该虚接地;一均衡器,耦接该第一反相器与该第二反相器,控制该第一反相器与该第二反相器之电位;复数存取埠,耦接该第一反相器与该第二反相器,并耦接一位元线与一字元线;及一阻隔单元,包含复数逻辑闸,耦接该虚接地与一接地端之间,且该些逻辑闸之输入端耦接一阻隔讯号,该阻隔单元在该记忆单元被写入资料时,该阻隔单元接受讯号进而阻隔该虚接地与该接地端之连结,使该虚接地浮接。
地址 新竹市东区大学路1001号