| 主权项 |
一种SRAM型态之记忆体胞元，其包含有：一位于绝缘体基体上之半导体，其包含由一绝缘(BOX)层来与一基极基体分开之一半导体材料薄膜；六个电晶体，其包含两个接取电晶体、两个传导电晶体以及配置来与该等传导电晶体形成两个反耦合反相器之两个充电电晶体，该等电晶体之每一个包含配置于该薄膜中之一汲极区与一源极区、于该源极区与该汲极区之间延伸的一通道，以及位于该通道上方之一前闸极，该记忆体胞元之特征在于该等电晶体之每一个具有一反控制闸极，其于该通道下方之基极基体中形成并可受偏压来调变该电晶体之临界电压、将该等接取电晶体之反控制闸极连接至一第一电位的一第一反闸极线、以及将该等传导电晶体与充电电晶体之反控制闸极连接至一第二电位的一第二反闸极线，该等第一与第二电位根据胞元控制操作之型态来调变。 |
