| 发明名称 | 半导体装置及其制法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制法，特别是关于一种焊料柱状凸块。通过电镀导电材料于集成电路端点之上，以形成导电材料的柱状物，亦即柱状凸块连接点系形成于输出/输入端点之上。柱状凸块的底端部分具有比上段部分更宽的宽度。柱状凸块的底部部分的剖面图可形成梯形、矩形或倾斜形状。焊料材料可形成于柱状结构上表面上。因此，焊接柱状凸块的成品形成细微间距(fine pitch)封装焊料连接，此结构比现有技术更具可靠度(reliable)。 | ||
| 申请公布号 | CN102386158B | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201110049451.0 | 申请日期 | 2011.02.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林正忠;刘重希;周孟纬;林国诚;吕文雄;黄见翎;黄英叡;陆德源 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;刘文意 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一半导体基板，其中该半导体基板具有至少一输入/输出端点位于其表面之上，且该输入/输出端点具有一端点宽度；一柱状结构设置位于该至少一输入/输出端点之上，其中该柱状结构包括：一底端部分接触该输入/输出端点，其中该底端部分包括凸块底层金属层且具有一底端宽度，其中该底端宽度小于该端点宽度；一上段部分具有一第一宽度；以及一基底部分位于该底端部分之上并具有一大于该第一宽度的第二宽度，其中该第二宽度大于该底端宽度，其中该柱状结构具有倾斜的侧边，自该基底部分的底部最宽的部分沿着倾斜的侧边连续地朝着该上段部分的顶端部分向上延伸，且倾斜的侧边形成一连续的表面，其中该柱状结构具有倾斜的侧边，自该基底部分的底部最宽的部分沿着倾斜的侧边连续地朝着该上段部分的顶端部分向上延伸，且倾斜的侧边形成一连续的表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||