发明名称 アニオン制御された誘電特性を有するペロブスカイト材料の製造方法、およびそれを用いた薄膜コンデンサ装置の製造方法
摘要 <p>A crystalline perovskite crystalline composite paraelectric material includes nano-regions containing rich N3−anions dispersed in a nano-grain sized matrix of crystalline oxide perovskite material, wherein (ABO3−δ)α-(ABO3−δ−γNγ)1−α. A represents a divalent element, B represents a tetravalent element,γsatisfies 0.005≰γ≰1.0, 1−αsatisfies 0.05≰1−α≰0.9, and 1−αis an area ratio between the regions containing rich N3−anions and the matrix of remaining oxide perovskite material.</p>
申请公布号 JP5673796(B2) 申请公布日期 2015.02.18
申请号 JP20130505565 申请日期 2011.04.28
申请人 发明人
分类号 H01B3/12;C01G23/00;C23C14/24;H01G4/12;H01G4/33;H01G7/06 主分类号 H01B3/12
代理机构 代理人
主权项
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