| 发明名称 | 一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块（包括IGBT，MOSFE，二极管等功率模块），结构包括硅凝胶（1）、金属电极（2）、铝基板（3）、类金刚石薄膜（4）、铜膜（5）、焊膏（6）、功率芯片（7）和铝线（8）。该功率模块适用于MOSFET、IGBT、二极管等功率器件。类金刚石薄膜（DLC）（4）铝基板（3）具有材料稳定、绝缘性好、导热率高等特点，大大降低了模块的热阻和封装成本，可以取代传统的DBC封装。 | ||
| 申请公布号 | CN104362130A | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201410671812.9 | 申请日期 | 2014.11.21 |
| 申请人 | 佛山芯光半导体有限公司 | 发明人 | 何志;谢刚;任延吉 |
| 分类号 | H01L23/08(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块（包括IGBT，MOSFE，二极管等功率模块），包括硅凝胶（1）、金属电极（2）、铝基板（3）、类金刚石薄膜（4）、铜（5）、焊膏（6）、功率芯片（7）和铝线（8），其特征在于，该功率模块适用于MOSFET、IGBT、二极管等功率器件。 | ||
| 地址 | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地核心区内A区7座三层302 | ||