发明名称 氮化物半导体发光装置
摘要 本发明提供一种氮化物半导体发光装置。氮化物半导体发光装置具备氮化物半导体发光元件(3)、和容纳氮化物半导体发光元件(3)的封装件(10)。封装件(10)具有:具有开口部(11c)的基台(11)、与基台(11)一起构成容纳氮化物半导体发光元件(3)的容纳空间的盖罩(30)、通过开口部(11c)并与氮化物半导体发光元件(3)电连接的引线管脚(14a、14b)、以及被填埋入开口部(11c)并将基台(11)与引线管脚(14a、14b)绝缘的绝缘部件(17a、17b)。绝缘部件(17a、17b)的至少与容纳空间面对的部分由不包含Si-O键的第1绝缘材料构成。
申请公布号 CN104364982A 申请公布日期 2015.02.18
申请号 CN201380027682.9 申请日期 2013.02.19
申请人 松下知识产权经营株式会社 发明人 萩野裕幸;吉田真治;森本廉
分类号 H01S5/022(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I;H01L23/10(2006.01)I;H01L33/48(2006.01)I 主分类号 H01S5/022(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 齐秀凤
主权项 一种氮化物半导体发光装置,具备:氮化物半导体发光元件;和封装件,其容纳所述氮化物半导体发光元件,所述封装件具有:基台,其保持所述氮化物半导体发光元件,并具有开口部;盖罩,其被固定于所述基台,与所述基台一起构成容纳所述氮化物半导体发光元件的容纳空间;引线管脚,其通过所述开口部,并与所述氮化物半导体发光元件电连接;和绝缘部件,其被填埋入所述开口部,将所述基台与所述引线管脚绝缘,所述绝缘部件的至少与所述容纳空间面对的部分由不包含Si‑O键的第1绝缘材料构成。
地址 日本国大阪府