| 发明名称 | 静电检测结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型揭示了一种静电检测结构。所述静电检测结构包括基底、形成于所述基底上的第一金属块以及形成于所述基底上并位于所述第一金属块一侧的多个间隔分布的第二金属块，所述第一金属块与多个第二金属块距离基底的高度相同；所述多个第二金属块与第一金属块之间的间距不等；所述第一金属块通过互连线与基底电性相通。本实用新型利用电容击穿原理，缩短了检测时间，并且能够避免外界因素的干扰，可靠性强。 | ||
| 申请公布号 | CN204167264U | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201420402769.1 | 申请日期 | 2014.07.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 叶逸舟;朱晓峥;杨晓松 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种静电检测结构，用于检测晶圆表面电荷，其特征在于，包括：基底、形成于所述基底上的第一金属块以及形成于所述基底上并位于所述第一金属块一侧的多个间隔分布的第二金属块，所述第一金属块与多个第二金属块距离基底的高度相同；所述多个第二金属块与第一金属块之间的间距不等；所述第一金属块通过互连线与基底电性相通。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||