| 发明名称 | 具有掩埋栅的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，包括：第一区和第二区；配置在第一区中的掩埋栅；以及围绕第一区的防氧化阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN101989603B | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201010240020.8 | 申请日期 | 2010.07.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 张世亿 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一区和第二区；在所述第一区和所述第二区中限定有源区的隔离层；配置在所述第一区中的掩埋栅；以及防氧化阻挡层，所述防氧化阻挡层围绕整个所述第一区以防止所述掩埋栅发生劣化，其中，所述防氧化阻挡层被配置在所述第一区与所述第二区之间的边界区中，并且被形成在所述隔离层中，其中，所述隔离层包括绝缘层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||