发明名称 | 一种薄膜太阳能电池的制作方法及薄膜太阳能电池 | ||
摘要 | 本发明提供一种薄膜太阳能电池的制作方法及薄膜太阳能电池,所述方法包括:在衬底上形成第一电极;在所述第一电极上形成N型掺杂层和本征半导体薄膜;对所述本征半导体薄膜进行离子注入,并使用准分子激光退火(ELA)工艺对离子注入后的本征半导体薄膜进行活化工艺,从而在本征半导体薄膜的上层形成P型掺杂层;在所述P型掺杂层上形成第二电极。由于ELA工艺可以准确地控制工艺范围,仅对工艺范围内的用于形成P型掺杂层的半导体薄膜进行快速加热,其温度梯度较大,不会对薄膜太阳能电池的衬底造成损害,从而可避免薄膜晶体管的衬底由于高温而产生变形扭曲的问题,提高了薄膜太阳能电池的生产良率。 | ||
申请公布号 | CN104362220A | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
申请号 | CN201410641467.4 | 申请日期 | 2014.11.13 |
申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 任庆荣;王路;郭炜 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;黄灿 |
主权项 | 一种薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:在衬底上形成第一电极;在所述第一电极上形成N型掺杂层和本征半导体薄膜;对所述本征半导体薄膜进行离子注入,并使用准分子激光退火工艺对离子注入后的本征半导体薄膜进行活化工艺,从而在本征半导体薄膜的上层形成P型掺杂层;在所述P型掺杂层上形成第二电极。 | ||
地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |