一种图像传感器制备工艺

摘要

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种图像传感器制备工艺，包括如下步骤：步骤S1、提供一半导体结构，所述半导体结构的顶部设置有沟槽，所述沟槽中形成有引线，所述半导体结构顶部和所述沟槽暴露的表面覆盖有第一介电层，且所述半导体结构顶部的第一介电层之上覆盖有一层阻挡层；步骤S2：沉积第二介电层覆盖在所述阻挡层和所述引线的表面并将所述沟槽进行填充；步骤S3：对所述第二介电层进行平坦化处理，使所述第二介电层的顶面与所述阻挡层的顶面齐平，藉由所述阻挡层来提高所述第二介电层经平坦化处理后的表面平整度。

主权项

一种图像传感器制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一半导体结构，所述半导体结构的顶部设置有沟槽，所述沟槽中形成有引线，所述半导体结构顶部和所述沟槽暴露的表面覆盖有第一介电层，且所述半导体结构顶部的第一介电层之上覆盖有一层阻挡层；步骤S2：沉积第二介电层覆盖在所述阻挡层和所述引线的表面并将所述沟槽进行填充；步骤S3：对所述第二介电层进行平坦化处理，使所述第二介电层的顶面与所述阻挡层的顶面齐平，藉由所述阻挡层来提高所述第二介电层经平坦化处理后的表面平整度。