发明名称 |
抗辐照加固的SOI结构及其制作方法 |
摘要 |
抗辐照加固的SOI结构及其制作方法。一种SOI结构抗辐照的制作方法,该方法包括以下步骤:提供两个晶片,在至少一个所述晶片的表面形成绝缘氧化层后;对所述绝缘氧化层进行辐照质子、中子等注入,在绝缘氧化层中引入位移损伤;将两个所述晶片通过所述绝缘氧化层进行键合;对键合后的两个晶片之一进行减薄,形成SOI结构。本发明在利用键合技术制备SOI的过程中,通过向埋氧层中注入质子、中子等引入位移损伤形成复合中心的方法来提高SOI器件的抗辐照性能,同时还避免了对顶层硅层所造成的损伤,不会影响器件的性能。 |
申请公布号 |
CN102437087B |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201110418323.9 |
申请日期 |
2011.12.14 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
吕荫学;毕津顺;罗家俊;韩郑生;叶甜春 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 |
代理人 |
朱海波 |
主权项 |
一种加固SOI结构抗辐照性能的方法,该方法包括以下步骤:a)提供两个晶片,在两个所述晶片的表面都形成绝缘氧化层;b)利用辐照的方式,对所述绝缘氧化层进行高能粒子注入,所述辐照包括质子、中子、γ射线辐照的一种;c)将两个所述晶片通过所述绝缘氧化层进行键合;d)对键合后的两个晶片之一进行减薄,形成SOI结构。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |