| 发明名称 | 钽溅射靶 | ||
| 摘要 | 一种钽溅射靶，其特征在于，含有30质量ppm以上且100质量ppm以下的氧作为必要成分，并且除氧和气体成分以外的纯度为99.998%以上。该钽溅射靶的平均晶粒直径为120μm以下、晶粒直径的偏差为±20%以下。可以得到具备均匀微细的组织、等离子体稳定、膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。 | ||
| 申请公布号 | CN103069044B | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201180038674.5 | 申请日期 | 2011.08.02 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 仙田真一郎;福岛笃志 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种钽溅射靶，包含熔炼材料，其特征在于，含有30质量ppm以上且100质量ppm以下的氧作为必要成分，除氧和气体成分以外的纯度为99.998％以上，并且平均晶粒直径为120μm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||