发明名称 |
一种静电吸盘性能的监测方法 |
摘要 |
本发明提供了一种静电吸盘性能的监测方法,在等离子体干法刻蚀反应腔中进行,反应腔室内具有静电吸盘,中空管穿过静电吸盘;通过中空管向晶圆背部通入冷却气体;监测方法包括:将晶圆置于反应腔室内的静电吸盘并紧密吸附在静电吸盘表面;对反应腔室抽真空;检测反应腔室的气体泄漏率;通过中空管向晶圆背部通入冷却气体,并检测通入冷却气体后的反应腔室的泄漏率;用通入冷却气体之后的反应腔室的气体泄漏率减去通入冷却气体之前的反应腔室的气体泄漏率,得到冷却气体从晶圆背面泄漏到反应腔室的泄漏率;设定一阈值,当冷却气体泄漏到反应腔室的泄漏率超过该阈值时,则判断得出静电吸盘的性能下降。从而使性能下降的静电吸盘得到及时更换。 |
申请公布号 |
CN104362110A |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201410652825.1 |
申请日期 |
2014.11.17 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
罗永坚;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种静电吸盘性能的监测方法,在等离子体干法刻蚀反应腔中进行,所述反应腔室内具有静电吸盘,其上用于紧密吸附晶圆;中空管穿过所述静电吸盘;所述中空管的顶部开口与所述晶圆的背部相对,通过所述中空管向所述晶圆背部通入冷却气体;其特征在于,所述监测方法包括以下步骤:步骤01:将晶圆置于反应腔室内的静电吸盘上;步骤02:将所述晶圆紧密吸附在所述静电吸盘表面;步骤03:打开真空阀,对所述反应腔室抽真空;步骤04:关闭所述真空阀,检测所述反应腔室的气体泄漏率;步骤05:通过所述中空管向所述晶圆背部通入冷却气体,并检测通入冷却气体后的反应腔室的泄漏率;步骤06:用通入冷却气体之后的所述反应腔室的气体泄漏率减去通入冷却气体之前的所述反应腔室的气体泄漏率,得到所述冷却气体从所述晶圆背面泄漏到所述反应腔室的泄漏率;步骤07:设定一阈值,当所述冷却气体泄漏到所述反应腔室的泄漏率超过所述阈值时,判断得出所述静电吸盘的性能下降。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |