| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化合物半导体器件，其中设置有：第一AlGaN层，形成在衬底的上方；第二AlGaN层，形成在第一AlGaN层的上方；电子渡越层，形成在第二AlGaN层的上方；以及电子供应层，形成在电子渡越层的上方。当第一AlGaN层的构成由Al<sub>x1</sub>Ga<sub>1-x1</sub>N表示，第二AlGaN层的构成由Al<sub>x2</sub>Ga<sub>1-x2</sub>N表示时，“0≤x1＜x2≤1”的关系成立。存在于AlGaN层的上表面的负电荷多于存在于AlGaN层的下表面的正电荷。根据本发明的化合物半导体器件，在电子渡越层的下方设置有其中电荷被适当分布的第二AlGaN层，因此可以容易地进行常关操作。 | ||
| 申请公布号 | CN102487080B | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201110342604.0 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 今西健治;吉川俊英 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 章侃铱;张浴月 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：衬底；第一AlGaN层，形成在所述衬底的上方；第二AlGaN层，形成在所述第一AlGaN层的上方；电子渡越层，形成在所述第二AlGaN层的上方；以及电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方，其中，当所述第一AlGaN层的构成由Al<sub>x1</sub>Ga<sub>1‑x1</sub>N表示，所述第二AlGaN层的构成由Al<sub>x2</sub>Ga<sub>1‑x2</sub>N表示时，“0≦x1＜x2≦1”的关系成立，并且存在于所述第二AlGaN层的上表面处的负电荷多于存在于所述第二AlGaN层的下表面处的正电荷。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县川崎市 | ||