一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法

摘要

本发明公开了一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法，该方法包括：测量金属氧化物基阻变存储器的I-V曲线，并根据该I-V曲线确定阻变存储器的低阻态电流值及高阻态电流值；计算在低阻态及高阻态下载流子在导电细丝中跃迁的平均激活能；计算载流子在导电细丝中跃迁时通道的平均激活能；确定载流子输运的缺陷能级及提取载流子输运的通道。本发明操作简单，结果精确，可广泛应用于提取具有不同材料、器件厚度不同的金属氧化物基的阻变存储器的载流子输运通道，如HfO₂、ZrO₂、WO₃等阻变存储器，从而为研究不同类型的RRAM的微观物理机制提供一种新的物理方法，为研究阻变存储器的微观物理机制提供理论指导。

主权项

一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：测量金属氧化物基阻变存储器的I‑V曲线，并根据该I‑V曲线确定阻变存储器的低阻态电流值及高阻态电流值；步骤2：计算在低阻态及高阻态下载流子在导电细丝中跃迁的平均激活能；步骤3：计算载流子在导电细丝中跃迁时通道的平均激活能；步骤4：确定载流子输运的缺陷能级及提取载流子输运的通道。