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发明名称
高效率矽控整流装置;SILICON-CONTROLLED RECTIFICATION DEVICE WITH HIGH EFFICIENCY
摘要
本发明系揭露一种高效率矽控整流装置,其系包含一P型区域,此系围绕一N型区域。N型区域中设有一第一P型重掺杂区,其系连接一高电压端。复数第二N型重掺杂区设于N型区域中。复数第二P型重掺杂区较第一N型重掺杂区更接近第二N型重掺杂区,并设于P型区域中。至少一第三N型掺杂区设于P型区域中,且连接一低电压端。此外,一者为第二N型重掺杂区位于P型区域中,另一者为第二P型重掺杂区位于N型区域中,此二条件可选择性或同时满足之。
申请公布号
TW201507091
申请公布日期
2015.02.16
申请号
TW102128101
申请日期
2013.08.06
申请人
晶焱科技股份有限公司
发明人
陈东阳;彭政杰;吴伟琳;姜信钦
分类号
H01L23/60(2006.01)
主分类号
H01L23/60(2006.01)
代理机构
代理人
林火泉
主权项
地址
新北市中和区中正路736号6楼之6 TW
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