一种电镀半导体装置表面的方法;A METHOD OF ANODISING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本揭示内容提供一种电镀半导体装置表面的方法，该半导体装置包括一p-n接面。该方法包括裸露该半导体装置的一第一表面部分于一电解质溶液中，当一电流被指引经过该第一表面部分处该半导体装置的一区域时该电解质溶液适合电镀该第一表面部分。进一步言之，该方法包括裸露该半导体装置的一部分于电磁辐射中，让该电磁辐射诱发该电流并且该第一表面部分会电镀。