特にマイクロリソグラフィ投影露光装置における偏光影響光学配置

摘要

本発明は、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置における偏光影響光学配置に関する。本発明の開示の態様により、偏光影響光学配置は、光学的ポジティブ単軸結晶材料からなる少なくとも１つの第１の部分要素（１１１、３１１、４１１）及び光学的ネガティブ単軸結晶材料からなる少なくとも１つの第２の部分要素（１１２、３１２、４１２）を含む第１のリターデーション要素（１１０、３１０、４１０）と、光学的ポジティブ単軸結晶材料からなる少なくとも１つの第３の部分要素（１２１、３２１、４２１）及び光学的ネガティブ単軸結晶材料からなる少なくとも１つの第４の部分要素（１２２、３２２、４２２）を含む第２のリターデーション要素（１２０、３２０、４２０）とを含み、偏光影響光学配置（１００、３００、４００）の少なくとも１つの構成において、第１のリターデーション要素（１１０、３１０、４１０）の偏光影響効果は、第１の複屈折速軸を有する第１のλ／２板の効果に対応し、第２のリターデーション要素（１２０、３２０、４２０）の偏光影響効果は、第２の複屈折速軸を有する第２のλ／２板の効果に対応し、第１の速軸と第２の速軸の間の角度は、４５??５?である。【選択図】図１ｂ