发明名称 | 具有连续电荷储存介电堆叠的非挥发记忆阵列 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI473253 | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
申请号 | TW099110784 | 申请日期 | 2010.04.07 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吕函庭;徐子轩;赖昇志 |
分类号 | H01L27/115;H01L21/8247 | 主分类号 | H01L27/115 |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 台北市内湖区民权东路6段109号2楼之1 | |
主权项 | 一种积体电路装置,包括:一积体电路包括一非挥发记忆胞阵列,该积体电路包含:一基板;复数条字元线存取该非挥发记忆胞阵列;复数条位元线存取该非挥发记忆胞阵列;一介电堆叠层位于该基板之上,该非挥发记忆胞阵列储存非挥发资料于由该复数条字元线与该复数条位元线所存取的该介电堆叠层位置上,该介电堆叠层在一介于一位元线与一源极线之间之记忆胞之该复数条字元线中之相邻字元线之间之平面区域上是连续的,该平面区域包括由该复数条字元线与该复数条位元线所存取的该些位置;该介电堆叠层于该区域上系呈平面的;布植区域于该基板的该介电堆叠层之下,该布植区域系介于该些介电堆叠层位置之间;以及一控制回路执行于该阵列上之操作。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |