发明名称 |
金属镀层处理方法 |
摘要 |
本发明揭示了一种金属镀层处理方法,包括以下步骤:提供衬底,衬底形成有通孔;向衬底的通孔内填充金属并在衬底的表面形成金属层;以无应力电化学抛光的方式将金属层抛光至接近衬底的表面;对衬底表面的金属层进行退火工艺,通孔上方的金属层形成金属凸起;去除衬底表面的金属层及通孔上方的金属凸起,仅保留通孔内的金属。通常以化学机械研磨的方式去除衬底表面的金属层及通孔上方的金属凸起。本发明金属镀层处理方法通过整合无应力电化学抛光、化学机械研磨及退火工艺,突破了因金属层内应力造成衬底的翘曲和通孔上方金属凸起的技术瓶颈,提高了集成电路器件的质量。 |
申请公布号 |
CN104347481A |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
申请号 |
CN201310330145.3 |
申请日期 |
2013.07.31 |
申请人 |
盛美半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
王坚;金一诺;王晖 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆嘉 |
主权项 |
一种金属镀层处理方法,其特征在于,包括以下步骤:提供衬底,所述衬底形成有通孔;向衬底的通孔内填充金属并在衬底的表面形成金属层;以无应力电化学抛光的方式将金属层抛光至接近衬底的表面;对衬底表面的金属层进行退火工艺,通孔上方的金属层形成金属凸起;去除衬底表面的金属层及通孔上方的金属凸起,仅保留通孔内的金属。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢 |