HEMT装置和制造HEMT装置的方法

摘要

本发明公开了一种HEMT装置，包括：衬底；设置在衬底上方的缓冲层；设置在缓冲层上方的载流子供应层；贯穿载流子供应层的栅极元件；和设置在载流子供应层上的漏极元件。载流子供应层在栅极元件和漏极元件之间具有不均匀的厚度，载流子供应层具有相邻于漏极元件的相对较大的厚度和相邻于栅极元件的相对较小的厚度。非均匀的二维电子气导电沟道形成在载流子供应层中，二维电子气导电沟道在栅极元件与漏极元件之间具有非均匀分布。

主权项

一种HEMT装置，包括：a.衬底；b.缓冲层，所述缓冲层设置在所述衬底的上方；c.载流子供应层，所述载流子供应层设置在所述缓冲层的上方；d.栅极元件，所述栅极元件贯穿所述载流子供应层；和e.漏极元件，所述漏极元件设置在所述载流子供应层上；f.其中，所述载流子供应层在所述栅极元件和所述漏极元件之间具有不均匀的厚度，所述载流子供应层具有相邻于所述漏极元件的相对较大的厚度和相邻于所述栅极元件的相对较小的厚度。