晶片封装体及其制造方法

摘要

本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一基底，其具有一上表面及一下表面；一装置区或感测区定义于基底内；一导电垫位于基底的上表面上；至少两个凹陷，包括一上凹陷及一下凹陷，自基底的上表面朝基底的下表面延伸，其中上凹陷的底部及下凹陷的侧壁邻接相同材料而共同形成基底的一侧壁；一导电层与导电垫电性连接，且自基底的上表面延伸至基底的侧壁；以及一绝缘层位于导电层与基底之间。本发明所述的晶片封装体所需的导电接线可顺利地形成，且晶片封装过程中所需的图案化制程步骤可大幅减少，而且晶片封装体的整体高度亦可显著地降低。

主权项

一种晶片封装体，其特征在于，包括：一基底，其具有一上表面及一下表面；一装置区或感测区，定义于该基底内；一导电垫，位于该基底的该上表面上；至少两个凹陷，包括一上凹陷及一下凹陷，自该基底的该上表面朝该基底的该下表面延伸，其中该上凹陷的底部及该下凹陷的侧壁邻接相同材料而共同形成该基底的一侧壁；及一导电层，与该导电垫电性连接，且自该基底的该上表面延伸至该基底的该侧壁；以及一第一绝缘层，位于该导电层与该基底之间。