测算半导体器件井区注入离子横向扩散能力的方法

摘要

本发明的一种测算半导体器件井区注入离子横向扩散能力的方法，包括以下步骤：步骤1，建立测试模块，所述模块上的活动区包括由浅沟道隔离隔开的P井区和N井区；步骤2，模拟制程结构，设置井区的钨连接孔；步骤3，进行离子注入，所述P井区或N井区只注入第一道离子；步骤4，对测试模块进行扫描，得到钨连接孔的明暗图。本发明为半导体器件的井区优化提供参考，为良率提升提供了保障，且方法简便易行。

主权项

一种测算半导体器件井区注入离子横向扩散能力的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，建立测试模块，所述模块上的活动区包括由浅沟道隔离隔开的P井区和N井区；步骤2，模拟制程结构，设置井区的钨连接孔；步骤3，进行离子注入，所述P井区或N井区只注入第一道离子；步骤4，对测试模块进行扫描，得到钨连接孔的明暗图；步骤5，将浅沟道隔离的底部宽度与所述钨连接孔的明暗图进行比较从而得到离子的扩散能力。