形成具有自对准金属化堆栈的微型LED器件的方法

摘要

本发明描述了一种制造微型器件和微型器件阵列并向接收衬底转移的方法。在一个实施例中，利用图案化牺牲层形成自对准金属化堆栈并在蚀刻p-n二极管层期间将图案化牺牲层用作蚀刻停止层以形成多个微型p-n二极管。

主权项

一种形成微型LED阵列的方法，包括：在形成于p‑n二极管层上的图案化牺牲层中的对应的多个开口内，形成多个横向分离的自对准金属化堆栈；利用键合层将包括所述多个横向分离的自对准金属化堆栈、所述图案化牺牲层和所述p‑n二极管层的第一衬底堆栈键合到第二衬底；蚀刻透过所述p‑n二极管层以在所述多个分离的金属化堆栈上方形成多个微型p‑n二极管，并暴露横向位于所述多个分离的金属化堆栈之间的所述图案化牺牲层；以及去除所述图案化牺牲层。