| 发明名称 | 非易失性存储器件和利用非易失性存储器件的半导体系统 | ||
| 摘要 | 提供了一种包括阻变存储器单元的非易失性存储器件和利用所述非易失性存储器件的半导体系统，所述非易失性存储器件能利用多个存储器单元的电阻值来设定参考电阻值。所述非易失性存储器件包括：一个或更多个列线；两个或更多个行线；多个存储器单元，被配置成与列线和每个行线连接；以及参考电阻设定单元，被配置成使能部分或全部的列线和行线并且设定参考电阻值。 | ||
| 申请公布号 | CN104347115A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310552546.3 | 申请日期 | 2013.11.08 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 金珪圣 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;毋二省 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，包括：一个或更多个列线；两个或更多个行线；多个存储器单元，所述多个存储器单元被配置成与所述列线和每个所述行线连接；以及参考电阻设定单元，所述参考电阻设定单元被配置成使能部分或全部的所述列线和所述行线并且设定参考电阻值。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||