| 发明名称 | 金属-氧化物-半导体MOS器件和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属-氧化物-半导体MOS器件和其制造方法，器件包括：衬底，所述衬底上设置有呈柱体的源极和漏极；所述衬底上，所述源极和所述漏极的外部围设有截面呈环形的柱体，且所述截面呈环形的柱体与所述源极和所述漏极不接触；所述截面呈环形的柱体的导电类型与所述源极和所述漏极的导电性能相反；所述衬底表面，所述源极和所述漏极的中间区域设置有第一绝缘介质层；所述第一绝缘介质层表面上设置有栅极导电层。本发明实施例有效解决了现有技术中MOS器件的Guard band隔离效果差的技术问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104347703A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310311598.1 | 申请日期 | 2013.07.23 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 宋秀海 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种金属‑氧化物‑半导体MOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上设置有呈柱体的源极和漏极；所述衬底上，所述源极和所述漏极的外部围设有截面呈环形的柱体，且所述截面呈环形的柱体与所述源极和所述漏极不接触；所述截面呈环形的柱体的导电类型与所述源极和所述漏极的导电性能相反；所述衬底表面，所述源极和所述漏极的中间区域设置有第一绝缘介质层；所述第一绝缘介质层表面上设置有栅极导电层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||