发明名称 |
使用蚀刻察觉印刷回避增进安全次解析辅助特征印刷的制程 |
摘要 |
本发明提供一种使用蚀刻察觉印刷回避增进安全次解析辅助特征印刷的制程。具体实施例包括对具有待形成于衬底上的多个特征和多个次解析辅助特征(SARF)两者的掩模进行掩模至阻剂模拟;侦测将印刷穿过至阻剂的多个次解析辅助特征;检查所侦测的次解析辅助特征的维度以判断一个或多个次解析辅助特征是否将蚀刻穿过至衬底;修改一个或多个次解析辅助特征;以及在一个或多个次解析辅助特征已修改后形成掩模。 |
申请公布号 |
CN104345547A |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
申请号 |
CN201410389674.5 |
申请日期 |
2014.08.08 |
申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
A·哈穆德 |
分类号 |
G03F1/36(2012.01)I;G03F1/80(2012.01)I |
主分类号 |
G03F1/36(2012.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
一种方法,包含:对具有多个待形成于衬底上的特征和多个次解析辅助特征(SRAF)两者的掩模进行掩模至阻剂模拟;侦测该多个将印刷穿过至阻剂的次解析辅助特征;检查该所侦测的次解析辅助特征的维度,以判断一个或多个该等次解析辅助特征是否将蚀刻穿过至该衬底;修改该一个或多个次解析辅助特征;以及在该一个或多个次解析辅助特征已修改后形成该掩模。 |
地址 |
英属开曼群岛大开曼岛 |