| 发明名称 | 半导体器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及制作方法，包括N型衬底、位于所述N型衬底表面上的外延层，所述外延层包括凹槽；覆盖所述凹槽表面的金属层；覆盖除所述凹槽之外的所述外延层表面的绝缘层；位于所述外延层表面内，且包围所述凹槽的第一P型阱区，所述第一P型阱区隔离所述金属层和所述外延层；其中，所述第一P型阱区和所述金属层的接触区域形成欧姆接触。通过本发明提供的半导体器件及制造方法，能够有效减小器件的反向漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN104347730A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310317313.5 | 申请日期 | 2013.07.25 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 姬亚东;陈闽;方绍明;陈志聪 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：N型衬底、位于所述N型衬底表面上的外延层，所述外延层包括凹槽；覆盖所述凹槽表面的金属层；覆盖除所述凹槽之外的所述外延层表面的绝缘层；位于所述外延层表面内，且包围所述凹槽的第一P型阱区，所述第一P型阱区隔离所述金属层和所述外延层；其中，所述第一P型阱区和所述金属层的接触区域形成欧姆接触。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||