| 发明名称 | 非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括如下步骤：在硅片正面形成绝缘栅双极晶体管结构至积淀完层间介质；在所述层间介质上覆盖保护膜；自所述硅片背面开始将所述硅片进行减薄处理，并在减薄后的硅片背面形成P型层；去掉所述保护膜，并对所述硅片进行退火处理；其中退火温度大于500摄氏度；在所述P型层和层间介质表面形成金属层。上述方法中，由于是在金属层形成之前进行P型层的退火处理，因此P型层的退火处理温度不会受到金属熔化温度的限制，可以采用较高的温度进行退火处理，从而形成的NPT IGBT的性能更高。同时，该方法也与传统工艺兼容，因此效率较高。 | ||
| 申请公布号 | CN104347400A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310321483.0 | 申请日期 | 2013.07.26 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 王根毅;邓小社;钟圣荣;周东飞 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种非穿通型绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括如下步骤：在硅片正面形成绝缘栅双极晶体管结构至积淀完层间介质；在所述层间介质上覆盖保护膜；自所述硅片背面开始将所述硅片进行减薄处理，并在减薄后的硅片背面形成P型层；去掉所述保护膜，并对所述硅片进行退火处理；其中退火温度大于500摄氏度；在所述P型层和层间介质表面形成金属层。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||