半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的实施方式提供一种能够兼顾高耐压和低开启电阻的使用III族氮化物半导体的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备基板。第1层设在基板的第1面的上方，使用第1导电型的III族氮化物半导体形成。第2层设在第1层上，使用第2导电型的III族氮化物半导体形成。第3层部分地设在第2层的表面中的第1区域上，使用第1导电型的III族氮化物半导体形成。栅极电极的一端处于第3层的表面上方，经由第2层而另一端处于第1层内，与第1层、第2层及第3层绝缘。第1电极连接在第3层上。第2电极连接在第2层的表面中的第1区域以外的第2区域上。第3电极设在与第1面相反侧的基板的第2面上。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；第1层，设在上述基板的第1面的上方，使用第1导电型的III族氮化物半导体形成；第2层，设在上述第1层上，使用第2导电型的III族氮化物半导体形成；第3层，部分地设在上述第2层的表面中的第1区域上，使用第1导电型的III族氮化物半导体形成；栅极电极，一端处于上述第3层的表面上方，经由上述第2层而另一端处于上述第1层内，与上述第1层、上述第2层及上述第3层绝缘；第1电极，连接于上述第3层；第2电极，连接于上述第2层的表面中的上述第1区域以外的第2区域；以及第3电极，设在与上述第1面相反侧的上述基板的第2面上。