发明名称 |
一种半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底中形成硅通孔;在所述硅通孔中依次形成第一应力吸收层和铜导电层,其中,位于所述硅通孔底部的铜导电层的顶部低于所述硅通孔的顶部,以部分填充所述硅通孔;形成第二应力吸收层,覆盖所述铜导电层的同时完全填充所述硅通孔;执行化学机械研磨直至露出硅通孔的顶部。根据本发明,在硅通孔中形成上述双层应力吸收层,可以明显减小衬垫层、阻挡层和铜导电层之间界面处的内部应力,避免分层现象的出现。 |
申请公布号 |
CN104347483A |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
申请号 |
CN201310335580.5 |
申请日期 |
2013.08.02 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
李广宁;沈哲敏 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;高伟 |
主权项 |
一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底中形成硅通孔;在所述硅通孔中依次形成第一应力吸收层和铜导电层,其中,位于所述硅通孔底部的铜导电层的顶部低于所述硅通孔的顶部,以部分填充所述硅通孔;形成第二应力吸收层,覆盖所述铜导电层的同时完全填充所述硅通孔。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |