| 发明名称 | 带有按图案设置的结合剂的pH传感器 | ||
| 摘要 | 本文公开了带有按图案设置的结合剂的pH传感器。这里描述的实施例提供了pH传感器，其包括基底和离子敏感场效应晶体管(ISFET)管芯。ISFET管芯包括离子感测部分，其被配置为暴露于介质，使得其输出与介质的pH水平相关的信号。ISFET管芯结合到基底，其中至少一种成分的结合剂材料设置于ISFET管芯和基底之间。至少一种成分的结合剂材料的一个或多个条带以第一图案设置于基底和ISFET管芯之间。 | ||
| 申请公布号 | CN104345084A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201410333968.6 | 申请日期 | 2014.05.28 |
| 申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | D·霍尔克黑默;P·S·费奇纳;D·S·威利茨 |
| 分类号 | G01N27/414(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/414(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张凌苗;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种pH传感器(2)，包括：基底(70)；离子敏感场效应晶体管(ISFET)管芯(10)，其包括响应pH的离子感测部分(12)，其中ISFET管芯结合到基底；其中ISFET管芯的离子感测部分被配置为暴露于介质，并且其中离子感测部分输出与介质的pH水平相关的信号；以及至少一种成分的结合剂材料的一个或多个条带(206、208)，其以第一图案设置于基底和ISFET管芯之间。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||