高压半导体元件及其操作方法

主权项

一种高压半导体元件，包括：一高压金氧半电晶体(high voltage metal-oxide-semiconductor transistor，HVMOS)，具有一汲极(Drain)及一源极(Source)；一第一NPN型静电保护双极电晶体(electro-static discharge bipolar transistor，ESD BJT)，具有一第一集极(Collector)及一第一发射极(Emitter)，该第一集极电性连接于该汲极，该第一发射极电性连接于该源极；以及一第二NPN型静电保护双极电晶体，具有一第二集极及一第二发射极，该第二集极电性连接于一N型阻障层，该第二发射极及该第一发射极为同一N型重掺杂区。