发明名称 |
基于MEMS传感器的电压基准通用启动电路 |
摘要 |
本发明涉及一种带隙基准源的启动电路,是基于MEMS传感器的电压基准通用启动电路,其包括简单电流源和偏置电路两部分,两者通过电流镜连接。电流源部分包括二极管连接的若干个PMOS管和一个NMOS管以提供稳定电流;偏置电路是典型的反馈式偏置点设置结构,而且包括最多五个偏置点,其中至少两个PMOS管偏置点和两个NMOS管偏置点。其优点是:无需任何参考输入或者数字信号控制,可以达到独立稳定启动和运行的目的,尤其适于MEMS传感器IC中使用的带隙基准源且具有良好的通用特性和电路配置的方便灵活性。 |
申请公布号 |
CN103455075B |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
申请号 |
CN201310391095.X |
申请日期 |
2013.08.30 |
申请人 |
江苏物联网研究发展中心 |
发明人 |
孙业超;黄卓磊;王玮冰 |
分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 |
代理人 |
曹祖良 |
主权项 |
基于MEMS传感器的电压基准通用启动电路,其特征是,包括:串联的多个PMOS管,其中所述串联的多个PMOS管均为二极管连接形式亦即所述串联的多个PMOS管的栅极与自身漏极相连接,串联的PMOS管中首个PMOS管源极接电源,末个PMOS管漏极接NMOS管N12的漏极;NMOS管N12漏极还连接自身栅极、NMOS管N13栅极、NMOS管N14栅极,NMOS管N13漏极接PMOS管P4漏极和栅极、PMOS管P7栅极、PMOS管P8栅极、PMOS管P10栅极并作为第二输出偏置端,NMOS管N14漏极接PMOS管P11漏极和栅极并作为第三输出偏置端,PMOS管P11源极接PMOS管P7漏极、PMOS管P5栅极、PMOS管P6栅极、PMOS管P9栅极并作为第一输出偏置端,PMOS管P6漏极接PMOS管P8源极,PMOS管P8漏极接NMOS管N15漏极、NMOS管N16栅极并作为第四输出偏置端,NMOS管N15源极接NMOS管N16漏极,NMOS管N15栅极接PMOS管P10漏极、NMOS管N17漏极和栅极并作为第五输出偏置端,PMOS管P9漏极接PMOS管P10源极,所述PMOS管P4源极、PMOS管P5源极、PMOS管P6源极、PMOS管P9源极均接电源,NMOS管N12源极、NMOS管N13源极、NMOS管N14源极、NMOS管N16源极、NMOS管N17源极均接地。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 |