基板处理设备、制造半导体装置之方法及基板处理方法

主权项

一种基板处理设备，包括：处理室，系建构为处理含有介电质之具有前表面的基板；基板支撑销，系设置于该处理室中以支撑该基板；微波供应单元，系建构为供应微波至被支撑在该基板支撑销上之该基板的前表面侧；以及导电基板冷却单元，系设置在被支撑于该基板支撑销上之该基板的后表面侧且具有面对该基板之该后表面的对向表面；及控制单元，系建构为控制该基板支撑销之顶部与该基板冷却单元之对向表面之间的距离成为相当于所供应之微波之1/4波长的奇数倍，控制该微波的供应而从被支撑在该基板支撑销上之该基板的该前表面侧加热该基板，及控制该基板冷却单元而当正在加热该基板时从该基板的该后表面侧冷却该基板。