Procedimiento de corte de un sustrato con localización de región modificada con láser cerca de una de las superficies del sustrato

摘要

Un procedimiento de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio (1), que comprende las etapas de: irradiar un sustrato (1) con una luz láser por impulsos (L), caracterizado por que la luz láser por impulsos (L) tiene una anchura de impulsos no más grande que 1 μs en un punto de convergencia (P) en el interior del sustrato (1), de tal modo que el punto de convergencia (P) de la luz láser por impulsos (L) se encuentra en el interior del sustrato (1) y una potencia de pico de la luz láser (L) en el punto de convergencia (P) no es más pequeña que 1 X 10 108 (w / cm2) para formar una pluralidad de puntos modificados (90) en el interior del sustrato (1) para formar una región modificada (9) que funciona como un punto de partida para cortar el sustrato (1), formándose los puntos modificados (90) a lo largo de una línea (5) a lo largo de la cual se pretende que se corte el sustrato (1) haciendo que converja la luz láser por impulsos (L) en unas posiciones más cerca de una superficie de incidencia de luz láser (3) del sustrato (1) que una posición central en un espesor del sustrato (1); donde el punto modificado (90) es un punto de fisura y la región modificada (9) es una región de fisura cuando el sustrato (1) es un sustrato de vidrio o un sustrato de material piezoeléctrico, o el punto modificado (90) es un punto procesado fundido y la región modificada (9) es una región procesada fundida cuando el sustrato (1) es un sustrato de material semiconductor, o el punto modificado (90) es un punto de cambio de índice de refracción y la región modificada (9) es una región de cambio de índice de refracción que está causada por un cambio estructural permanente tal como un cambio de valencia iónica, cristalización u orientación de polarización cuando el sustrato (1) es un sustrato de vidrio y la anchura de impulsos de la luz láser (L) es de 1 ns o menos, causar una fisura que se desarrolla de forma natural a partir de la región modificada (9) sobre la superficie de incidencia de luz láser (3) del sustrato (1) a lo largo de la línea (5) a lo largo de la cual se pretende que se corte el sustrato (1); y después de que se cause, aplicar una fuerza al sustrato (1) para hacer que la fisura se desarrolle adicionalmente para cortar el sustrato (1).